سیستم لیزر نیمه هادی 915 نانومتری با قدرت بالا
پارامتر (25 ℃)
| معمول | واحد | |
| پارامترهای نوری | ||
| توان خروجی | 100 | W |
| محدوده قدرت | 0-100 | W |
| جریان آستانه | 1.08 | A |
| جریان عملیاتی | 15.5 | A |
| ولتاژ بهره برداری | 11.8 | V |
| حداقل عرض پالس | 50 | μs |
| حداکثر نرخ تکرار ورودی | 10 هزار | Hz |
| افزایش زمان | <15 | μs |
| حداکثر مصرف برق | <300 | W |
| طول موج مرکزی | 10±915 | nm |
| نور هدف گیری | 650 | nm |
| توان خروجی | 2 | mw w |
| ناپایداری توان خروجی | ＜3% @24h | |
| ولتاژ AC ورودی | 200-240 (50HZ) | V |
| پارامترهای فیبر | ||
| قطر هسته فیبر | 200 | میکرومتر |
| قطر لوله محافظ فلزی | 7 | mm
|
| روزنە عددی | 0.22 | - |
| طول فیبر | 1-5 | m |
| رابط | SMA905-SMA905 | |
| حالت خنک کننده | خنک کننده هوا | |
| تابع | ||
| RS232: حالت تنظیم پورت سریال | کنترل از راه دور | |
| کنترل محلی | عملکرد دکمه و لمس | |
| بازخورد حلقه بسته تشخیص PD | اگر جریان PD بیش از حد باشد، سیستم لیزر متوقف می شود | |
| بازخورد حلقه بسته تشخیص دما | اگر دما بیش از حد باشد، تابش سیستم متوقف می شود | |
| حالت کنترل AD | مدولاسیون آنالوگ 0-10 ولت | |
| حالت کار | CW/Pluse | |
محیط عملیاتی و شرایط کاری
ابعاد (میلی متر)
| حداقل | حداکثر | واحد | |
| دمای عملیاتی | -10 | 40 | ℃ |
| رطوبت نسبی عملیاتی | - | 75 | % |
| دمای ذخیره سازی | -20 | 80 | ℃ |
| رطوبت نسبی ذخیره سازی | - | 90 | % |
شرکت ما
کارگاه ما
گواهینامه
پیام خود را اینجا بنویسید و برای ما ارسال کنید
